新款EMC测验用放大器

　　该产品主要是针对商用EMC测验IEC 61000-4-3 规范（掩盖频率规模为80MHz至1GHz）。据悉，新产品放大器采用了第三代宽带隙GaN晶体管技能，与现有的来自IFI、TESEQ、AR、 PRANA和BONN的放大器比较，新产品的技能具有抢先性，在同一封装内，功率可比上一代Si LDMOS、GaAs技能高10～20倍，牢靠性进步20倍，寿数到达100万小时；放大器具有250W、400W和750W 三种不同的P1dB输出功率，可用在3U、7U和15U机箱中；放大器c.XJR2~0规划采用了超卓牢靠的CSA拓扑结构，支撑从250W到750W 的轻松晋级，具有可扩展、便于功率和频率晋级等特色。